конспект лекций, вопросы к экзамену

Электронно-дырочный переход - образование и тд

Вопрос 3. Электронно-дырочный переход – обазование p-n перехода, распределение концентрации носителей заряда, энергетическая  диаграмма p-n перехода в отсутствии внешнего напряжения.

Контактные явления в полупроводниках - это явления на границе контакта полупроводников разного типа контакта полупроводника с металлом и тд.

Электронно-дырочный переход (пн-переход) - это переходный слой на границе полупроводников с разными типами проводимости в котором существует диффузионное электрическое поле присутствует контактная разность потенциалов и которое обладает интересными, особенными свойствами.

Переходный слой - располагается вблизи границы металлургического контакта 2-ух полупроводников он нужен для построения полупроводниковых приборов, диодов, транзисторов.

Взяли полпроводник н-типа.

Носители с той области где высокая концентрация будет двигаться в сторону где их мало.

Перешедшие электроны и дырки вследствии диффузии будут образовывать диффузионный ток.

Возникает сначала диффузионный ток,пораждающий поле,потом дрейфовый ток вызванный действием этого поля.

И поскольку они встречно направлены, то они будут друг другу мешать и в результате установится некоторое равновесное состояние вследствии которого абсоолютные значения,тока станут дрейфовые и диффузионные одинаковы и соответсвенно суммарный ток через металлургическую границу станет равен нулю.

Ток не может протекать,тк цепь разомкнута.

30.01.2019; 08:00
просмотров: 129