конспект лекций, вопросы к экзамену

физика (страница 3)

  1. Полупроводниковые варикапы
  2. Полупроводниковые обращенные диоды
  3. Диодные тиристоры(динисторы)
  4. Оптоэлектронные полупроводниковые излучатели
  5. Процессы в электронно - дырочном переходе при прямом напряжении
  6. Вольт-амперная характеристика p-n перехода
  7. Пробой p-n перехода
  8. Полупроводниковые стабилитроны
  9. Способ включения и статические характеристики биполярного транзистора в схеме с ОБ
  10. Ориентированное и неориентированное упрочнение, модели для их описания.
  11. Классический и обобщенный континуумы.
  12. Оценки «теоретической прочности». Краевые и винтовые дислокации. Полные и расщепленные дислокации.
  13. Дислокационные реакции. Критерий Франка. Тетраэдр Томпсона.
  14. Физические механизмы неупругого деформирования. Ориентационный тензор. Закон Шмида.
  15. Деформационное и латентное упрочнение. Закон упрочнения Тейлора. Поверхность текучести и закон течения для монокристалла.
  16. Модели деформационного упрочнения моно- и поликристаллов, основанные на рассмотрении взаимодействия дислокаций.
  17. Моды неупругого деформирования.
  18. Статистически накопленные и геометрически необходимые дислокации, изгибы-кручения решетки.
  19. Ротационные моды деформирования, модели ротации.
  20. Особенности деформирования поликристаллов. Модель Закса.
  21. Основные гипотезы модели Тейлора. Построение кривой σ-ε в модели Тейлора.
  22. Основные постулаты математической теории пластичности, принятые в теории Бишопа - Хилла.
  23. Принцип максимума работы для монокристалла (с доказательством).Принцип минимума сдвига для монокристалла (с доказательством).
  24. Основные гипотезы модели и процедура применения модели Линя для исследования изменения напряженно-деформированного состояния представительного макрообъема.
  25. Гипо- и гиперупругий законы. Мультипликативное разложение градиента места, аддитивное разложение градиента скорости перемещений.
  26. Вязкоупругие и вязкопластические модели.
  27. Структура и классификация многоуровневых моделей. Классификация внутренних переменных и уравнений конститутивной модели.
  28. Согласование определяющих соотношений масштабных уровней.
  29. Классификация внутренних переменных и уравнений конститутивной модели на примере двухуровневой упруговязкопластической модели.
  30. Модель Тейлора для описания поворотов кристаллической решетки.
  31. Модель поворотов кристаллической решетки, учитывающая взаимодействие элементов мезоуровня.
  32. Алгоритм реализации двухуровневой упруговязкопластической модели.
  33. CLR, понятие, структура и работа CLR. Исполнение кода сборки в CLR. Структура сборки.